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    2. 新聞活動

      助力數據中心和通信基站節約用電 發售第2代分立式SiC-SBD系列
      更新時間:2021-11-17

          富士電機株式會社(法人代表董事兼社長:北澤通宏,總部:東京都品川區)推出的“第2代分立式SiC-SBD系列”功率半導體產品已開始上市發售,特此通知。該產品將有助于推動數據中心和通信基站等實現節電。

          Schottky Barrier Diode

       

      1.背景

            隨著DX(數字化轉型)的啟動、遠程辦公的日益普及以及互聯網服務得到越來越廣泛的應用,網絡通信量與日俱增,數據中心和通信基站的設備投資加速。與此同時,電源設備的需求也在不斷増加,電源設備當前的市場規模約為3,000億日元,預計到2028年度將會增長至約4,500億日元。

          數據中心和通信基站的設備運轉需要大量的直流電力,因此電源設備中一般配備有功率半導體(二極管),以便將電力公司供應的交流電高效轉換(整流)為直流電。

          功率半導體在通電時會產生電力損耗(恒定損耗)。此次,我們針對數據中心和通信基站等的電源設備,開發并推出了“第2代分立式SiC-SBD系列”產品,該產品可通過降低電路內的恒定損耗來幫助設備實現節電。

          我們將面向全球推廣該產品,希望通過推進設備的節電為建設脫碳社會盡一份力。

          ※本公司根據IHS公司的資料進行的推算

       

      2.產品特點

      將電路板的厚度縮減至三分之一,實現低損耗

            要想降低功率半導體的電力損耗,方法之一是將作為元件的電路板加工得更薄,以縮短電流的傳導距離。與本公司老款產品第1SiC-SBD系列相比,本產品所配備的SiC(碳化硅)電路板的厚度已降至其三分之一左右,同時,通過調整芯片結構,使恒定損耗降低了16%。我們運用公司特有的加工技術降低電路板厚度,從而打造出行業最高水平的薄度。此外,該產品還提高了對雷擊引起的大電流的抵抗能力。這些對于提高其搭載設備的節能以及可靠性將會起到推動作用。

      ※額定電壓650V產品

      3.主要規格

       

      ※尚處于開發階段(計劃于20221月發售)

       

      4.產品咨詢部門
      富士電機株式會社 半導體事業本部 營業統括部 營業第一部

      ?03-5435-7152

       

      【產品目錄官網頁面】

      https://www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/catalog/

       

      本新聞稿的內容產品規格及咨詢部門、價格等)為截至發布當日的信息,可能會在未事先通知的情況下變更。敬請諒解

       

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