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    2. EV、HEV用IGBT模塊

      采用直接水冷銅散熱片基礎結構、實現了高功率密度和小型封裝的EV、HEV用IGBT模塊 產品中分別內置有6個IGBT和FWD。此外,還內置有用于檢測溫度的熱敏電阻。

      產品信息

      • 產品信息

      EV、HEV用IGBT模塊 650V級

      ※點擊產品圖像即可查看等效電路圖。

      VCE(sat): at Tj=25°C, Chip

      Package Device type VCES
      Volt
      IC(Cont)
      Amps.
      IC(Peak)
      Amps.
      VCE(sat)
      Typ. Volts
      VF
      Typ. Volts
      Net mass Grams

      M651
      6MBI400VW-065V 650 200 400 2.00 (IC=400A) 1.70 (IF=400A) 660g

      M652
      6MBI600VW-065V 650 300 600 2.00 (IC=600A) 1.70 (IF=600A) 900g

      :新產品

      :更新

      :開發中

       


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